咨询/建议
SI2319
华轩阳
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,3A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2319
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-23
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3000+:￥0.141 1+:￥0.159 |
4868 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI2319
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Huaxuanyang(华轩阳)
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SOT-23
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3000+:￥0.14664 1+:￥0.16536 |
4867 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2319
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HXY(华轩阳)
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SOT-23
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5000+:￥0.1568 2000+:￥0.161 500+:￥0.168 300+:￥0.182 100+:￥0.196 1+:￥0.21 |
3000 |
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立即发货
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华秋商城
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SI2319
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-23
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9000+:￥0.1579 6000+:￥0.167 3000+:￥0.1852 300+:￥0.2502 100+:￥0.2805 10+:￥0.3409 |
15060 |
-
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立即发货
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立创商城
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SI2319
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HXY(华轩阳)
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SOT-23
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3000+:￥0.2115 1500+:￥0.2385 200+:￥0.2745 140+:￥0.3692 |
4868 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2319
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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SOT-23
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9000+:￥0.161 6000+:￥0.1652 3000+:￥0.168 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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SI2319
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-23
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3000+:￥0.1613 1500+:￥0.1814 200+:￥0.2072 1+:￥0.3226 |
4868 |
25+
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2-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3A |