HXY50N04NF
华轩阳
DFN5X6-8L
¥0.583
830
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V
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HXY50N04NF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN5X6-8L

5000+:¥0.583

2500+:¥0.6187

500+:¥0.7562

150+:¥0.8897

50+:¥0.9966

5+:¥1.2461

830

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 14mΩ@10V