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HXY5N10AI
华轩阳
SOT-23
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HXY5N10AI
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SOT-23
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9000+:￥0.1096 6000+:￥0.1151 3000+:￥0.126 300+:￥0.1457 100+:￥0.1639 10+:￥0.2004 |
2910 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |