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SI2338DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2338DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.1187 6000+:￥1.2077 3000+:￥1.2713 800+:￥1.7798 200+:￥2.5426 10+:￥4.1381 |
27000 |
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油柑网
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SI2338DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.15 500+:￥1.23 100+:￥1.35 30+:￥1.62 10+:￥1.84 1+:￥2.34 |
2380 |
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立即发货
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立创商城
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SI2338DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.29 1+:￥1.36 |
8853 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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SI2338DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.3416 1+:￥1.4144 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2338DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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3000+:￥1.419 1500+:￥1.496 750+:￥1.584 100+:￥1.76 30+:￥2.211 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI2338DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.352 1500+:￥1.4248 750+:￥1.508 100+:￥1.6952 1+:￥2.1112 |
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1-3工作日
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硬之城
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SI2338DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SOT-23-3
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3000+:￥1.3941 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 424 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |