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停产
DMN26D0UFB4-7B
DIODES(美台)
DFN-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN26D0UFB4-7B
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DIODES(美台)
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X2-DFN1006-3
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10000+:￥0.15 1+:￥0.165 |
3176 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN26D0UFB4-7B
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Diodes(美台)
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DFN-3
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10000+:￥0.156 1+:￥0.1716 |
2860 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN26D0UFB4-7B
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DIODES(美台)
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DFN-3
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1000+:￥0.2412 300+:￥0.2708 100+:￥0.3103 10+:￥0.3892 |
2530 |
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立即发货
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立创商城
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DMN26D0UFB4-7B
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Diodes(达尔)
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500+:￥0.285 140+:￥0.3705 |
2926 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN26D0UFB4-7B
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DIODES(美台)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.1665 5000+:￥0.1832 500+:￥0.2109 1+:￥0.3164 |
3416 |
23+
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2-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14.1 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |