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BSC030N03LSGATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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BSC030N03LSGATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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1000+:￥1.25 500+:￥1.29 100+:￥1.35 30+:￥1.48 10+:￥1.59 1+:￥1.84 |
10672 |
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立创商城
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BSC030N03LSGATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥1.45 1+:￥1.53 |
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25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥1.508 1+:￥1.5912 |
4984 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥5.3058 |
20 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC030N03LSGATMA1
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Infineon(英飞凌)
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65000+:￥1.5904 30000+:￥1.624 5000+:￥1.624 2500+:￥1.7136 1250+:￥1.8144 100+:￥2.0272 1+:￥2.5312 |
4986 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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55+:￥4.7955 33+:￥5.2628 11+:￥5.808 |
7357 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |