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2SK2225-80-E#T2
RENESAS(瑞萨)
TO-3P
IGBT管/模块
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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2SK2225-80-E#T2
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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TO-3P
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30+:￥16.77 10+:￥18.64 1+:￥21.78 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 欧姆 @ 1A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 990 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |