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STO36N60M6
ST(意法半导体)
TOLL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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TO-LL
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30+:￥7.23 10+:￥8.1 1+:￥9.69 |
4665 |
20+/21+
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在芯间
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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TOLL
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100+:￥10.49 30+:￥12.49 10+:￥13.98 1+:￥16.36 |
144 |
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立即发货
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立创商城
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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TO-LL-8
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1800+:￥11.3 1+:￥11.58 |
1630 |
20+
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圣禾堂
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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TOLL(HV)
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900+:￥11.4642 100+:￥11.8107 4+:￥12.9888 |
1630 |
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3天-15天
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唯样商城
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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PowerSFN-8
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1800+:￥11.752 1+:￥12.0432 |
1627 |
20+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STO36N60M6
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意法半导体(ST)
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TO-LL-8
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18000+:￥12.43 3600+:￥13.4188 1800+:￥14.125 500+:￥19.775 200+:￥28.25 10+:￥45.9769 |
1630 |
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油柑网
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STO36N60M6
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STMICROELECTRONICS
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TO-LL
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1+:￥19.0463 |
90 |
2050
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现货最快4H发
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京北通宇
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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PowerSFN-8
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1800+:￥10.5768 900+:￥10.83888 100+:￥11.16648 1+:￥12.28032 |
1630 |
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1-3工作日
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硬之城
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STO36N60M6
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ST(意法半导体)
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TOLL
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500+:￥5.2433 100+:￥5.3837 10+:￥6.086 1+:￥6.32 |
10 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 44.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |