STGWA50IH65DF
ST(意法半导体)
TO-247
¥11.26
50
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
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STGWA50IH65DF
ST(意法半导体)
TO-247

30+:¥11.26

10+:¥12.6

1+:¥14.74

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STGWA50IH65DF
意法半导体(ST)
TO-247-3

30+:¥37.4133

10+:¥44.896

1+:¥67.3439

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 150 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,50A
功率 - 最大值 300 W
开关能量 284µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 158 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/260ns
测试条件 400V,50A,22 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3