MMSZ4687T1G
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0895
38,979
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
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MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.0895

1+:¥0.113

8600

23+
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MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.09308

1+:¥0.11752

8457

23+
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MMSZ4687T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

21000+:¥0.1056

9000+:¥0.1133

3000+:¥0.1275

600+:¥0.1439

200+:¥0.1712

20+:¥0.2203

7860

-
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MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

3000+:¥0.1343

1500+:¥0.1695

200+:¥0.2715

90+:¥0.5951

8460

-
3天-15天
MMSZ4687T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

1+:¥0.2513

5492

2035
现货最快4H发
MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

500+:¥0.1234

100+:¥0.127

10+:¥0.1449

1+:¥0.1509

20

-
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MMSZ4687T1G
onsemi(安森美)
SOD-123

300+:¥0.133

100+:¥0.136

10+:¥0.139

70

19+/20+
MMSZ4687T1G
安森美(onsemi)
SOD-123

30000+:¥0.2561

6000+:¥0.2758

3000+:¥0.2902

800+:¥0.4021

100+:¥0.4055

20+:¥0.4177

20

-
MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

30000+:¥0.26886

6000+:¥0.28955

3000+:¥0.30466

800+:¥0.42223

100+:¥0.42393

20+:¥0.4257

20

-
现货
MMSZ4687T1G
ON(安森美)
SOD-123

60000+:¥0.0971

45000+:¥0.0979

3000+:¥0.0985

1500+:¥0.1243

200+:¥0.1991

1+:¥0.5951

2700

23+
2-4工作日
MMSZ4687T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOD-123

3000+:¥0.1302

600+:¥0.1471

200+:¥0.1754

20+:¥0.2349

3000

22+
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 4.3 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 4 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOD-123