Si2323DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥1.05
1,607
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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SI2323DDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
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3000+:¥1.05

1+:¥1.11

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3000+:¥1.092

1+:¥1.1544

162

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威世(VISHAY)
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30000+:¥1.155

6000+:¥1.2469

3000+:¥1.3125

800+:¥1.8375

200+:¥2.625

10+:¥4.2722

165

-
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Vishay(威世)
SOT-23-3

100+:¥1.441

30+:¥1.815

165

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3天-15天
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600+:¥3.1482

10+:¥4.608

1+:¥5.8176

314

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500+:¥3.18

100+:¥3.56

30+:¥4.18

10+:¥4.8

1+:¥6.06

570

-
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥1.0799

66

-
3天-5天
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥1.092

1500+:¥1.1544

750+:¥1.2272

100+:¥1.3624

1+:¥1.716

3398

--
1-3工作日
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VISHAY(威世)
SOT-23

3000+:¥1.1655

1500+:¥1.2321

750+:¥1.3098

100+:¥1.4541

1+:¥1.8315

3988

25+
2-4工作日
Si2323DDS-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SOT-23

3000+:¥1.1886

1500+:¥1.2428

500+:¥1.3276

150+:¥1.4534

50+:¥1.7051

5+:¥2.111

5730

2522+
1工作日
SI2323DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23

3000+:¥1.232

1000+:¥1.243

500+:¥1.3662

300+:¥1.5054

50+:¥1.65

18000

23+
4-7工作日
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Vishay Semiconductors
SOT-23

500+:¥2.5415

100+:¥2.7612

25+:¥3.048

6464

-
14-18工作日
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10+:¥10.6672

16

20+
3-5工作日
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VISHAY
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100+:¥3.8489

59+:¥4.0771

1+:¥4.3055

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 39 毫欧 @ 4.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 36 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1160 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 960mW(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3