T835-600G-TR
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥2.25
3,632
晶闸管(可控硅)/模块
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
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T835-600G-TR
ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥2.25

500+:¥2.37

100+:¥2.61

30+:¥3.0

10+:¥3.39

1+:¥4.18

1077

-
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T835-600G-TR
ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥2.37

1+:¥2.49

516

25+
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T835-600G-TR
ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥2.4648

1+:¥2.5896

509

25+
1-2工作日发货
T835-600G-TR
意法半导体(ST)
D2PAK

10000+:¥2.607

2000+:¥2.8144

1000+:¥2.9625

500+:¥4.1475

100+:¥5.925

10+:¥9.1838

516

-
T835-600G-TR
ST(意法半导体)
TO-263-3

100+:¥2.739

20+:¥3.421

516

-
3天-15天
T835-600G-TR
ST(意法半导体)
TO-263-2

100+:¥3.21

30+:¥3.58

10+:¥3.96

1+:¥4.71

423

20+/21+
T835-600G-TR
STMICROELECTRONICS
TO-263

1+:¥4.4947

75

2302
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
双向可控硅类型 可控硅 - 无缓冲器
电压 - 断态 600 V
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) 8 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) 1.3 V
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 80A,84A
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) 35 mA
电流 - 保持 (Ih)(最大值) 35 mA
配置 单路
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB