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SIS413DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIS413DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥1.5295 500+:￥1.6245 100+:￥1.9475 30+:￥2.42 10+:￥2.71 1+:￥3.4 |
1664 |
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立即发货
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立创商城
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SIS413DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥1.55 1+:￥1.64 |
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2年内
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8
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3000+:￥1.612 1+:￥1.7056 |
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2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SIS413DN-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥1.705 6000+:￥1.8406 3000+:￥1.9375 800+:￥2.7125 200+:￥3.875 10+:￥6.3066 |
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油柑网
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SIS413DN-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥1.705 1500+:￥1.804 750+:￥1.903 100+:￥2.134 20+:￥2.673 |
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3天-15天
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唯样商城
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SIS413DN-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8
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3000+:￥1.6328 1500+:￥1.716 750+:￥1.82 100+:￥2.028 1+:￥2.548 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4280 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |