ZXMP10A18KTC
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
¥1.76
26,064
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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价格(含税)
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批次
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渠道
ZXMP10A18KTC
美台(DIODES)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.76

5000+:¥1.9

2500+:¥2.0

800+:¥2.8

200+:¥4.0

10+:¥6.51

11867

-
ZXMP10A18KTC
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥1.77

1+:¥1.86

12373

24+
立即发货
ZXMP10A18KTC
Diodes(达尔)
DPAK

2500+:¥1.925

1250+:¥2.013

100+:¥2.321

20+:¥3.025

11867

-
3天-15天
ZXMP10A18KTC
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

1000+:¥2.13

500+:¥2.25

100+:¥2.84

30+:¥3.24

10+:¥3.64

1+:¥4.44

1830

-
立即发货
ZXMP10A18KTC
DIODES(美台)
TO252

500+:¥6.84

100+:¥7.41

20+:¥9.12

1+:¥11.4

500

16+
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
TO-252-3

20000+:¥2.1275

10000+:¥2.183

5000+:¥2.22

2500+:¥2.405

10000

-
5-7工作日
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
TO-252-3

10000+:¥8.1068

5000+:¥8.2692

2500+:¥8.4387

17575

-
10-15工作日
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
TO-252-3

800+:¥1.888

400+:¥1.92

200+:¥1.968

1+:¥2.25

1

-
3-6工作日
ZXMP10A18KTC
DIODES INCORPORATED
TO-252-2

1+:¥2.1364

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 26.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1055 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 2.17W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63