ZXMN10A07FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.533
31,629
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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ZXMN10A07FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.533

1+:¥0.573

8927

2年内
立即发货
ZXMN10A07FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.55432

1+:¥0.59592

2912

25+
1-2工作日发货
ZXMN10A07FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.55432

1+:¥0.59592

2908

2年内
1-2工作日发货
ZXMN10A07FTA
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.57

3000+:¥0.6069

500+:¥0.6685

150+:¥0.8068

50+:¥0.9176

5+:¥1.1762

7965

-
立即发货
ZXMN10A07FTA
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.5863

1500+:¥0.6303

200+:¥0.7249

60+:¥0.9427

8915

-
3天-15天
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

100+:¥0.4838

25+:¥0.504

10+:¥0.5289

1+:¥0.55

2390

-
3-6工作日
ZXMN10A07FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.56056

1500+:¥0.60216

200+:¥0.69264

1+:¥0.90064

9516

--
1-3工作日
ZXMN10A07FTA
DIODES
SOT-23-3

6000+:¥0.5644

3000+:¥0.601

500+:¥0.662

150+:¥0.7996

50+:¥0.9114

5+:¥1.1803

17694

2338+
1工作日
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.5687

3000+:¥0.5736

1500+:¥0.5835

100+:¥0.6033

66666

23+
3-5工作日
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.6106

12000+:¥0.6212

6000+:¥0.6317

3000+:¥0.6422

18000

24+
3-5工作日
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

150000+:¥0.616

75000+:¥0.616

15000+:¥0.616

3000+:¥0.616

12000

-
3-5工作日
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥2.8933

750+:¥2.9814

21660

-
10-15工作日
ZXMN10A07FTA
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

30+:¥0.506

10+:¥0.506

1+:¥0.52

0

20+/21+
ZXMN10A07FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.608

6000+:¥0.6564

3000+:¥0.6909

800+:¥0.9673

200+:¥1.3818

10+:¥2.1418

0

-
ZXMN10A07FTA
DIODES(美台)
SOT-23

100+:¥0.8633

30+:¥0.9095

10+:¥0.9249

1+:¥1.002

2

-
立即发货
ZXMN10A07FTA
DIODES INCORPORATED

1+:¥0.8664

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 700mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 700 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 138 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3