WSD60N10GDN56
WINSOK(微硕)
DFN5x6-8
¥1.548
11,724
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):60A,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,10A
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WSD60N10GDN56
WINSOK(微硕)
DFN5x6-8

1000+:¥1.548

500+:¥1.638

100+:¥2.205

30+:¥2.547

10+:¥2.826

1+:¥3.474

1662

-
立即发货
WSD60N10GDN56
Winsok(微硕)
DFN-8(5x6)

100+:¥2.11956

30+:¥2.26031

10+:¥2.38875

1+:¥2.65793

480

22+
现货
WSD60N10GDN56
WINSOK(微硕)
DFN8_5X6MM

1000+:¥2.242

500+:¥2.337

100+:¥2.527

30+:¥2.717

1+:¥2.812

4791

-
立即发货
WSD60N10GDN56
微硕(WINSOK)
DFN8_5X6MM

1000+:¥2.4911

500+:¥3.4875

100+:¥3.7367

30+:¥4.7331

1+:¥5.7544

4791

-
WSD60N10GDN56
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

2000+:¥1.54

500+:¥1.62

100+:¥2.11

30+:¥2.45

10+:¥2.72

1+:¥3.15

4095

2438+
1工作日
WSD60N10GDN56
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

500+:¥1.9388

100+:¥2.2905

30+:¥2.5884

10+:¥2.8829

1+:¥3.4624

4947

23+
1工作日
WSD60N10GDN56
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

500+:¥1.9388

100+:¥2.2905

30+:¥2.5884

10+:¥2.8829

1+:¥3.4624

4273

24+
1工作日
WSD60N10GDN56
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

15000+:¥2.0758

10000+:¥2.1299

5000+:¥2.166

75133

24+
3-5工作日
WSD60N10GDN56
WINSOK(微硕)
DFN5X6-8

100+:¥2.5

30+:¥2.9

10+:¥3.22

1+:¥3.96

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 60A
导通电阻(RDS(on)) 8.5mΩ@10V,10A