WSD40120DN56G
WINSOK(微硕)
DFN5x6-8
¥2.65
58,635
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):120A,导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ@10V,20A
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WSD40120DN56G
WINSOK(微硕)
DFN5x6-8

1000+:¥2.65

500+:¥2.82

100+:¥3.63

30+:¥4.17

10+:¥4.71

1+:¥5.79

43659

-
立即发货
WSD40120DN56G
WINSOK(微硕)
DFN8_5X6MM

1000+:¥2.75

500+:¥2.875

100+:¥3.05

30+:¥3.425

10+:¥3.675

1+:¥4.05

3143

-
立即发货
WSD40120DN56G
Winsok(微硕)
DFN-8(5x6)

500+:¥2.77173

100+:¥3.01778

30+:¥3.20184

10+:¥3.36979

1+:¥3.7218

500

21+
现货
WSD40120DN56G
WINSOK(微硕)
DFN5x6-8

500+:¥2.81

100+:¥3.62

20+:¥4.25

1+:¥5.55

8190

24+
WSD40120DN56G
微硕(WINSOK)
DFN8_5X6MM

1000+:¥3.0556

500+:¥4.2778

100+:¥4.889

30+:¥5.1945

10+:¥5.8056

1+:¥7.0584

3143

-
WSD40120DN56G
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

1000+:¥2.65

500+:¥2.81

100+:¥3.6

30+:¥4.08

10+:¥4.65

1+:¥5.65

4980

2414+
1工作日
WSD40120DN56G
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

15000+:¥2.7103

10000+:¥2.7941

5000+:¥2.8805

57270

24+
3-5工作日
WSD40120DN56G
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

5000+:¥2.7174

300+:¥2.7989

100+:¥2.8533

30+:¥3.3967

10+:¥3.8315

1+:¥4.8098

2035

24+
1工作日
WSD40120DN56G
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN5X6-8L

5000+:¥2.75

300+:¥2.8325

100+:¥2.8875

30+:¥3.4375

10+:¥3.8775

1+:¥4.8675

6100

21+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 120A
导通电阻(RDS(on)) 1.8mΩ@10V,20A