WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323
¥0.16
196,867
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):890mA,导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V
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WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.16

1+:¥0.181

60781

25+
立即发货
WNM2021-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.1664

1+:¥0.18824

30320

25+
1-2工作日发货
WNM2021-3/TR
韦尔(WILLSEMI)
SOT-323

30000+:¥0.176

6000+:¥0.19

3000+:¥0.2

800+:¥0.28

100+:¥0.4

20+:¥0.651

30419

-
WNM2021-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.19062

1000+:¥0.19416

500+:¥0.1977

100+:¥0.20107

10+:¥0.20355

29626

25+
现货
WNM2021-3/TR
Willsemi(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.24

200+:¥0.2704

120+:¥0.4186

30781

-
3天-15天
WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.308

1200+:¥0.3111

600+:¥0.3678

100+:¥0.4366

10+:¥0.5315

2430

-
立即发货
WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323

1000+:¥0.31

500+:¥0.35

100+:¥0.47

10+:¥0.63

3500

23+/22+
WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323

5000+:¥0.3173

1000+:¥0.3275

300+:¥0.3872

100+:¥0.4596

10+:¥0.5595

9010

-
立即发货
WNM2021-3/TR
WILLSEMI/上海韦尔半导体
SOT-323

9000+:¥0.1416

6000+:¥0.144

3000+:¥0.1476

50000

24+
7-10工作日
WNM2021-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.16848

1500+:¥0.19032

200+:¥0.2184

1+:¥0.34008

63995

--
1-3工作日
WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-323

3000+:¥0.1814

1500+:¥0.205

200+:¥0.2352

1+:¥0.3662

91246

25+
2-5工作日
WNM2021-3/TR
WILLSEMI/上海韦尔半导体
SOT-323

1000+:¥0.183

500+:¥0.1944

100+:¥0.2073

50+:¥0.2391

10+:¥0.2589

1+:¥0.2824

2142

2447+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 890mA
导通电阻(RDS(on)) 320mΩ@1.8V