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VBE2104N
VBsemi(微碧)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：33mΩ@10V；37mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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VBE2104N
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VBsemi(微碧半导体)
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TO-252
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1000+:￥4.3605 500+:￥4.5315 100+:￥4.7405 30+:￥5.586 10+:￥6.327 1+:￥7.6855 |
355 |
-
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立即发货
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立创商城
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VBE2104N
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VBsemi(微碧)
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TO-252
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100+:￥4.646 30+:￥5.491 10+:￥6.232 1+:￥7.59 |
781 |
20+/21+
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在芯间
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VBE2104N
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VBsemi/微碧半导体
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TO-247
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1000+:￥4.312 300+:￥4.3982 100+:￥4.5707 30+:￥5.4055 10+:￥5.7133 1+:￥6.2523 |
20 |
24+
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1工作日
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云汉芯城
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VBE2104N
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VBsemi/微碧半导体
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TO-247
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3000+:￥4.3796 500+:￥4.57 300+:￥4.7604 10+:￥5.1413 |
400000 |
25+
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3-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V；37mΩ@4.5V |