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VBE1303
VBsemi(微碧)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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VBE1303
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VBsemi(微碧半导体)
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TO-252
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1000+:￥1.786 500+:￥1.8905 100+:￥2.375 30+:￥2.7075 10+:￥3.04 1+:￥3.705 |
313 |
-
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立即发货
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立创商城
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VBE1303
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VBsemi(微碧)
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TO-252
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30+:￥2.57212 10+:￥2.888 1+:￥3.51975 |
98 |
20
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现货
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硬之城
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VBE1303
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VBsemi/微碧半导体
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TO-252
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2500+:￥1.7565 300+:￥1.8092 100+:￥1.8443 30+:￥2.1957 10+:￥2.4767 1+:￥3.109 |
80 |
24+
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1工作日
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云汉芯城
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VBE1303
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VBsemi/微碧半导体
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TO-252
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2500+:￥1.7841 500+:￥1.8616 100+:￥1.9392 15+:￥2.0943 |
400000 |
25+
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4-6工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V |