UCC27526DSDR
TI(德州仪器)
SON-8-EP(3x3)
¥8.64
7
栅极驱动芯片
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
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UCC27526DSDR
TEXAS INSTRUMENTS
SON

30+:¥8.1261

10+:¥8.2781

1+:¥8.623

92

22+
1工作日
UCC27526DSDR
TI(德州仪器)
SON-8-EP(3x3)

30+:¥8.64

10+:¥8.79

1+:¥9.02

3

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UCC27526DSDR
TI(德州仪器)
WSON-8

1000+:¥8.64

500+:¥8.64

200+:¥8.79

1+:¥9.02

4

19+/20+
UCC27526DSDR
德州仪器(TI)
SON-8-EP(3x3)

30+:¥14.52

10+:¥17.424

1+:¥26.136

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 低端
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 18V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1V,2.3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 5A,5A
输入类型 反相,非反相
上升/下降时间(典型值) 7ns,6ns
工作温度 -40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States;Germany;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US;Freising, DE;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3