UCC27516DRSR
TI(德州仪器)
SON-6(3x3)
¥3.25
120
栅极驱动芯片
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
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UCC27516DRSR
TI(德州仪器)
SON-6(3x3)

30+:¥3.25

10+:¥3.66

1+:¥4.48

94

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UCC27516DRSR
TI(德州仪器)
SON-6(3x3)

3000+:¥2.57

1+:¥2.67

9

21+
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UCC27516DRSR
TI(德州仪器)
WSON-6

3000+:¥2.6728

1+:¥2.7768

8

21+
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UCC27516DRSR
德州仪器(TI)
WSON-6

1000+:¥2.937

100+:¥3.5244

10+:¥4.1118

1+:¥5.1398

9

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 低端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 18V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,4A
输入类型 反相,非反相
上升/下降时间(典型值) 8ns,7ns
工作温度 -40°C ~ 140°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Richardson, US;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3