TPNTK3139PT1G
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-723
¥0.102
73,529
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):850mA,导通电阻(RDS(on)):730mΩ@2.5V,0.45A
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TPNTK3139PT1G
TECH PUBLIC(台舟电子)
SOT-723

8000+:¥0.102

1+:¥0.112

18927

25+
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TPNTK3139PT1G
Tech public(台舟)
SOT-723

8000+:¥0.10608

1+:¥0.11648

18920

25+
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TPNTK3139PT1G
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-723

16000+:¥0.112

8000+:¥0.1193

2000+:¥0.1407

600+:¥0.1587

200+:¥0.1827

20+:¥0.2307

35680

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TPNTK3139PT1G
TECH PUBLIC(台舟电子)
SOT-723-3

100+:¥0.112

30+:¥0.118

10+:¥0.12

1+:¥0.13

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TPNTK3139PT1G
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-723

8000+:¥0.235

1+:¥0.259

1

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 850mA
导通电阻(RDS(on)) 730mΩ@2.5V,0.45A