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TPN11006NL,LQ
TOSHIBA(东芝)
TSDSON-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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TPN11006NL,LQ
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TOSHIBA(东芝)
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TSDSON-8(3.3x3.3)
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500+:￥2.7 100+:￥2.99 30+:￥3.47 10+:￥3.96 1+:￥4.93 |
539 |
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立创商城
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TPN11006NL,LQ(S
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TOSHIBA(东芝)
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TSON-Advance-8
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3000+:￥1.5 1+:￥1.58 |
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22+
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圣禾堂
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TPN11006NL,LQ(S
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Toshiba(东芝)
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3000+:￥1.56 1+:￥1.6432 |
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22+
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硬之城
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TPN11006NL,LQ(S
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东芝(TOSHIBA)
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TSON
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30000+:￥1.65 6000+:￥1.7813 3000+:￥1.875 800+:￥2.625 100+:￥3.75 20+:￥6.1031 |
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油柑网
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TPN11006NL,LQ
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东芝(TOSHIBA)
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TSDSON-8(3.3x3.3)
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1000+:￥3.3733 500+:￥3.8793 100+:￥4.2166 30+:￥4.7226 10+:￥5.7346 1+:￥6.7466 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.4 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |