TPHR9003NL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm
¥2.392
14,926
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TPHR9003NL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm

1000+:¥2.45

500+:¥2.59

100+:¥2.87

30+:¥3.34

10+:¥3.82

1+:¥4.77

1825

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TPHR9003NL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-Advance-8

500+:¥2.59

100+:¥2.87

20+:¥3.34

1+:¥3.82

7881

22+/23+
TPHR9003NL,L1Q(M
东芝(TOSHIBA)
QFN-8

50000+:¥3.729

10000+:¥4.0256

5000+:¥4.2375

1000+:¥5.9325

300+:¥8.475

10+:¥13.7931

5000

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TPHR9003NL,L1Q
Toshiba(东芝)
PowerVDFN8

1000+:¥2.392

500+:¥2.496

100+:¥2.704

30+:¥2.912

1+:¥3.016

95

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TPHR9003NL,L1Q
东芝(TOSHIBA)
DSOP-8-EP-5.0mm

50000+:¥4.048

10000+:¥4.37

5000+:¥4.6

500+:¥4.9871

100+:¥7.1245

20+:¥11.5951

95

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TPHR9003NL,L1Q
TOSHIBA
8-PowerVDFN

1+:¥16.8433

30

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 0.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 74 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6900 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),78W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN