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TPH2R306NH,L1Q
TOSHIBA(东芝)
VDFN-8(5x5)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPH2R306NH,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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SOP-8
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500+:￥2.78 100+:￥3.09 30+:￥3.6 10+:￥4.12 1+:￥5.16 |
932 |
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立即发货
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立创商城
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TPH2R306NH,L1Q
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TOSHIBA(东芝)
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VDFN-8(5x5)
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500+:￥2.81 100+:￥3.11 30+:￥3.63 10+:￥4.15 1+:￥5.19 |
878 |
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立即发货
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立创商城
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TPH2R306NH,L1Q(M
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Toshiba(东芝)
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SOP-8
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5000+:￥3.016 1+:￥3.1512 |
995 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TPH2R306NH,L1Q(M
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Toshiba(东芝)
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SOP-8
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5000+:￥3.016 1+:￥3.1512 |
1000 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TPH2R306NH,L1Q(M
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东芝(TOSHIBA)
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SOP-8
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1000+:￥3.9867 500+:￥4.5847 100+:￥4.9834 30+:￥5.5814 10+:￥6.7774 1+:￥7.9734 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6100 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta），78W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |