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T835H-6G-TR
ST(意法半导体)
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
晶闸管(可控硅)/模块
双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：8 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：80A，84A
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价格(含税)
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T835H-6G-TR
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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30+:￥6.1 10+:￥6.83 1+:￥8.17 |
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立创商城
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T835H-6G-TR
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ST(意法半导体)
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TO-263-2
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30+:￥6.1 10+:￥6.83 1+:￥8.17 |
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20+/21+
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在芯间
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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1000+:￥3.28 1+:￥3.41 |
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圣禾堂
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STMICROELECTRONICS
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D2PAK
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50+:￥3.9397 1+:￥4.111 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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T835H-6G-TR
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意法半导体(ST)
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TO-263-2
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30+:￥5.2859 10+:￥6.3431 1+:￥9.5146 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
| 电压 - 断态 | 600 V |
| 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 8 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1 V |
| 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 80A，84A |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 35 mA |
| 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 35 mA |
| 配置 | 单路 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB |