SVF12N65F
SILAN(士兰微)
TO-220F
¥1.3728
3,358
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):12A,导通电阻(RDS(on)):640mΩ@10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SVF12N65F
SILAN(士兰微)
TO-220F 塑封

1000+:¥1.32

1+:¥1.42

1802

25+
立即发货
SVF12N65F
Silan(士兰)
TO-220F(TO-220IS)

1000+:¥1.3728

1+:¥1.4768

1399

25+
1-2工作日发货
SVF12N65F
SILAN(士兰微)
TO-220F

1000+:¥1.452

50+:¥1.562

30+:¥2.035

1402

-
3天-15天
SVF12N65F
SILAN(士兰微)
TO-220F

100+:¥1.91

50+:¥2.28

10+:¥2.81

1+:¥3.49

478

-
立即发货
SVF12N65F
SILAN(士兰微)
TO-220F(TO-220IS)

100+:¥1.92

30+:¥2.28

10+:¥2.82

1+:¥3.5

16

20+/21+
SVF12N65F
Silan(士兰微)
TO-220F

1+:¥2.13

14

-
立即发货
SVF12N65F
士兰微(Silan)
TO-220F

500+:¥2.343

100+:¥2.5294

50+:¥2.6625

20+:¥3.7275

10+:¥5.325

1+:¥8.6664

14

-
SVF12N65F
SILAN

1+:¥4.0112

35

-
现货最快4H发
SVF12N65F
Silan(士兰)
TO-220F(TO-220IS)

1000+:¥1.3728

50+:¥1.4768

1+:¥1.924

802

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 12A
导通电阻(RDS(on)) 640mΩ@10V