SUM110P06-07L-E3
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
¥10
70,622
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TO-263(D2PAK)

800+:¥10.0744

500+:¥10.4468

100+:¥11.2994

30+:¥14.8

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1+:¥19.71

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D2PAK

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100+:¥11.495

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3天-15天
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威世(VISHAY)
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8000+:¥11.187

1600+:¥12.0769

800+:¥12.7125

400+:¥17.7975

100+:¥25.425

10+:¥41.3792

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VISHAY

1+:¥13.5416

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Vishay(威世)
D2PAK

200+:¥33.9888

100+:¥34.305

60+:¥34.7362

50+:¥34.9471

30+:¥35.8095

10+:¥40.0928

5+:¥46.5322

2+:¥83.4819

800

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3周-4周
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Vishay Intertechnology
TO-263

800+:¥10.09

500+:¥10.4504

100+:¥11.3032

30+:¥12.7754

10+:¥13.919

1+:¥17.1311

3045

2514+
1工作日
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VISHAY
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1000+:¥10.2705

100+:¥11.2725

10+:¥13.4435

1+:¥16.9505

1599

2435+
2-3工作日
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Vishay(威世)
TO-263-3

800+:¥10.4

100+:¥10.868

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1-3工作日
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VISHAY(威世)
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800+:¥11.1

100+:¥11.5995

1+:¥12.9981

16741

25+
2-4工作日
SUM110P06-07L-E3
Vishay Semiconductors
TO-263

1000+:¥11.252

100+:¥11.7412

10+:¥14.0654

62400

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5-10工作日
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40000+:¥12.0232

8000+:¥12.1306

1600+:¥12.3453

800+:¥12.7747

16802

22+
3-4工作日
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Vishay Semiconductors
TO-263

50000+:¥12.5568

10000+:¥12.9024

1000+:¥13.248

10+:¥14.1696

114

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5-7工作日
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TO-263

3200+:¥13.108

2400+:¥13.34

1600+:¥13.572

800+:¥13.688

32000

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5-8工作日
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TO-263

2400+:¥17.4348

1600+:¥17.7354

800+:¥18.036

5600

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3-5工作日
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VISHAY
TO-263

150+:¥18.5714

3938

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3-5工作日
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Vishay(威世)
TO-263(D²Pak)

100+:¥18.9952

30+:¥20.0128

10+:¥20.352

1+:¥22.048

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 345 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB