厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY(威世)
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TO-263(D2Pak)
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800+:¥10.0 1+:¥10.45 |
15926 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY(威世)
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TO-263(D2PAK)
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800+:¥10.0744 500+:¥10.4468 100+:¥11.2994 30+:¥14.8 10+:¥16.69 1+:¥19.71 |
1306 |
-
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立即发货
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立创商城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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800+:¥10.4 1+:¥10.868 |
15924 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay(威世)
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D2PAK
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800+:¥11.0 100+:¥11.495 4+:¥12.881 |
15926 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SUM110P06-07L-E3
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威世(VISHAY)
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TO-263
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8000+:¥11.187 1600+:¥12.0769 800+:¥12.7125 400+:¥17.7975 100+:¥25.425 10+:¥41.3792 |
16802 |
-
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油柑网
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY
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1+:¥13.5416 |
3938 |
2337
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现货最快4H发
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京北通宇
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay(威世)
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D2PAK
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200+:¥33.9888 100+:¥34.305 60+:¥34.7362 50+:¥34.9471 30+:¥35.8095 10+:¥40.0928 5+:¥46.5322 2+:¥83.4819 |
800 |
-
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3周-4周
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唯样商城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Intertechnology
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TO-263
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800+:¥10.09 500+:¥10.4504 100+:¥11.3032 30+:¥12.7754 10+:¥13.919 1+:¥17.1311 |
3045 |
2514+
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1工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY
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TO-263
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1000+:¥10.2705 100+:¥11.2725 10+:¥13.4435 1+:¥16.9505 |
1599 |
2435+
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2-3工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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800+:¥10.4 100+:¥10.868 1+:¥12.1784 |
16741 |
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1-3工作日
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硬之城
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY(威世)
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TO-263
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800+:¥11.1 100+:¥11.5995 1+:¥12.9981 |
16741 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Semiconductors
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TO-263
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1000+:¥11.252 100+:¥11.7412 10+:¥14.0654 |
62400 |
-
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5-10工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Semiconductors
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TO-263
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40000+:¥12.0232 8000+:¥12.1306 1600+:¥12.3453 800+:¥12.7747 |
16802 |
22+
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3-4工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Semiconductors
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TO-263
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50000+:¥12.5568 10000+:¥12.9024 1000+:¥13.248 10+:¥14.1696 |
114 |
-
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5-7工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Semiconductors
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TO-263
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3200+:¥13.108 2400+:¥13.34 1600+:¥13.572 800+:¥13.688 |
32000 |
-
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5-8工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay Semiconductors
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TO-263
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2400+:¥17.4348 1600+:¥17.7354 800+:¥18.036 |
5600 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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VISHAY
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TO-263
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150+:¥18.5714 |
3938 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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SUM110P06-07L-E3
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Vishay(威世)
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TO-263(D²Pak)
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100+:¥18.9952 30+:¥20.0128 10+:¥20.352 1+:¥22.048 |
0 |
-
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立即发货
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华秋商城
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 345 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 11400 pF @ 25 V |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),375W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |