SUD50P10-43L-E3
VISHAY(威世)
TO-252
¥5.33563
15,284
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37.1A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SUD50P10-43L-E3
VISHAY(威世)
TO-252,(D-Pak)

2000+:¥5.5

1+:¥5.7

465

23+
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SUD50P10-43L-E3
威世(VISHAY)
TO-252-3

20000+:¥5.5935

4000+:¥6.0385

2000+:¥6.3563

500+:¥8.8988

200+:¥12.7126

10+:¥20.6898

10000

-
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Vishay(威世)
TO-252,(D-Pak)

2000+:¥5.72

1+:¥5.928

457

23+
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SUD50P10-43L-E3
VISHAY(威世)
TO-252

1000+:¥6.16

500+:¥6.26

100+:¥9.32

30+:¥9.82

10+:¥10.31

1+:¥11.09

1872

-
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SUD50P10-43L-E3
Vishay(威世)
TO-252

100+:¥6.578

7+:¥7.634

465

-
3天-15天
SUD50P10-43L-E3
VISHAY
TO-252-3

1+:¥7.3929

1984

2222
现货最快4H发
SUD50P10-43L-E3
Vishay(威世)
TO-252(DPAK)

1000+:¥5.3356

500+:¥5.5946

100+:¥6.1127

30+:¥6.6307

1+:¥6.8897

41

-
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Vishay(威世)
TO-252,(D-Pak)

2000+:¥5.72

1000+:¥5.928

100+:¥6.2192

1+:¥7.2176

765

--
1-3工作日
SUD50P10-43L-E3
Vishay Intertechnology
TO-252AA

1000+:¥5.73

500+:¥5.9259

100+:¥6.1538

30+:¥6.4

10+:¥7.5

1+:¥9.2308

1984

2511+
1工作日
SUD50P10-43L-E3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
TO-252AA

1000+:¥5.9783

300+:¥6.1576

100+:¥6.4027

30+:¥7.1141

10+:¥8.5489

1+:¥9.5652

2989

22+
1工作日
SUD50P10-43L-E3
VISHAY(威世)
TO-252AA

2000+:¥6.105

1000+:¥6.327

100+:¥6.6378

1+:¥7.7034

800

23+
2-4工作日
SUD50P10-43L-E3
VISHAY
TO-252AA

270+:¥10.0365

1984

-
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 43 毫欧 @ 9.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4600 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 8.3W(Ta),136W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63