SUD50P06-15-GE3
VISHAY(威世)
TO-252
¥4.73
104,163
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SUD50P06-15-GE3
VISHAY(威世)
TO-252,(D-Pak)

2000+:¥4.73

1+:¥4.94

17969

25+
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SUD50P06-15-GE3
Vishay(威世)
TO-252-3

2000+:¥4.9192

1+:¥5.1376

17962

25+
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SUD50P06-15-GE3
Vishay(威世)
TO-252AA

2000+:¥4.9429

1000+:¥5.1623

100+:¥5.6639

8+:¥6.803

18369

-
3天-15天
SUD50P06-15-GE3
VISHAY(威世)
TO-252

500+:¥5.39

100+:¥5.83

30+:¥6.8

10+:¥7.74

1+:¥9.24

766

-
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SUD50P06-15-GE3
VISHAY(威世)
TO-252

500+:¥5.43

100+:¥5.87

20+:¥6.84

1+:¥9.28

2000

21+/22+
SUD50P06-15-GE3
Vishay(威世)
TO-252(DPAK)

1000+:¥5.4395

500+:¥5.676

100+:¥6.149

30+:¥6.622

1+:¥6.8585

400

-
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SUD50P06-15-GE3
Vishay
DPAK-3 (TO-252-3)

2000+:¥5.5268

1000+:¥5.6926

500+:¥5.8634

100+:¥6.0393

50+:¥6.3413

10+:¥6.6584

2000

2230
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SUD50P06-15-GE3
威世(VISHAY)
TO-252-2(DPAK)

20000+:¥6.215

4000+:¥6.7094

2000+:¥7.0625

500+:¥9.8875

200+:¥14.125

10+:¥22.9884

40000

-
SUD50P06-15-GE3
VISHAY
TO-252-2

1+:¥6.3257

2709

2330
现货最快4H发
SUD50P06-15-GE3
Vishay(威世)
TO-252AA

1000+:¥17.5838

500+:¥17.6412

300+:¥17.7275

100+:¥18.1587

50+:¥18.8007

30+:¥19.6631

10+:¥23.9465

4+:¥43.4371

1988

-
3周-4周
SUD50P06-15-GE3
Vishay(威世)
TO-252-3

2000+:¥4.9816

1000+:¥5.1896

100+:¥5.7096

1+:¥6.8536

24401

--
1-3工作日
SUD50P06-15-GE3
Vishay Intertechnology
TO-252AA

1000+:¥5.2

500+:¥5.3515

100+:¥5.7032

30+:¥6.2829

10+:¥7.0454

1+:¥8.1391

4429

2520+
1工作日
SUD50P06-15-GE3
VISHAY(威世)
TO-252AA

40000+:¥5.2392

30000+:¥5.2947

2000+:¥5.3169

1000+:¥5.5389

100+:¥6.0939

1+:¥7.3149

24401

25+
2-4工作日
SUD50P06-15-GE3
Vishay Semiconductors
TO-252AA

100000+:¥5.9483

20000+:¥6.0014

4000+:¥6.1077

2000+:¥6.3201

40000

21+
3-4工作日
SUD50P06-15-GE3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
TO-252AA

150+:¥7.2

100+:¥7.2

50+:¥7.2

3503

22+
4-7工作日
SUD50P06-15-GE3
VISHAY
TO-252AA

320+:¥8.5876

2709

-
3-5工作日
SUD50P06-15-GE3
Vishay Semiconductors
TO-252AA

500+:¥14.145

100+:¥15.5524

5+:¥17.124

109538

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 165 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4950 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),113W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63