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SUD19P06-60-GE3
VISHAY(威世)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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SUD19P06-60-GE3
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VISHAY(威世)
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TO-252，（D-Pak）
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2000+:￥1.93 1+:￥2.06 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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TO-252-3
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2000+:￥2.0072 1+:￥2.1424 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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TO-252-2(DPAK)
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20000+:￥2.123 4000+:￥2.2919 2000+:￥2.4125 500+:￥3.3775 200+:￥4.825 10+:￥7.8527 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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TO-252
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2000+:￥2.123 1000+:￥2.266 100+:￥2.607 20+:￥3.388 |
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唯样商城
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VISHAY(威世)
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TO-252
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），38.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |