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STW70N60DM2
ST(意法半导体)
TO-247
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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STW70N60DM2
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ST(意法半导体)
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TO-247
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500+:￥17.96 100+:￥18.93 30+:￥21.02 10+:￥23.09 1+:￥26.58 |
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STW70N60DM2
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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600+:￥21.02 1+:￥21.61 |
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5年内
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圣禾堂
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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600+:￥21.8608 1+:￥22.4744 |
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5年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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意法半导体(ST)
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TO-247-3
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6000+:￥23.122 1200+:￥24.9613 600+:￥26.275 300+:￥36.785 100+:￥52.55 10+:￥85.5251 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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10+:￥23.771 2+:￥26.62 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 66A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 121 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5508 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 446W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |