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STW4N150
ST(意法半导体)
TO-247-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STW4N150
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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600+:￥5.03 1+:￥5.23 |
54106 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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STW4N150
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ST(意法半导体)
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TO-247
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600+:￥5.2312 1+:￥5.4392 |
54100 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STW4N150
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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600+:￥5.533 10+:￥5.753 8+:￥6.908 |
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3天-15天
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唯样商城
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STW4N150
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ST(意法半导体)
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TO-247
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100+:￥6.83 30+:￥7.82 10+:￥8.92 1+:￥10.48 |
471 |
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立即发货
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立创商城
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STW4N150
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意法半导体(ST)
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TO-247-3
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300+:￥7.04 60+:￥7.6 30+:￥8.0 15+:￥11.2 5+:￥16.0 1+:￥26.04 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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TO-247
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600+:￥5.2936 10+:￥5.5016 1+:￥6.604 |
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1-3工作日
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硬之城
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STW4N150
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ST(意法半导体)
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TO-247
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30+:￥6.42 10+:￥6.42 1+:￥6.6 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |