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STP55NF06L
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STP55NF06L
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.54 1+:￥2.66 |
1995 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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STP55NF06L
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥2.6416 1+:￥2.7664 |
1988 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STP55NF06L
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意法半导体(ST)
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TO-220
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10000+:￥2.794 2000+:￥3.0163 1000+:￥3.175 500+:￥4.445 100+:￥6.35 10+:￥10.3346 |
1995 |
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油柑网
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STP55NF06L
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥2.794 100+:￥2.926 20+:￥3.652 |
1995 |
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3天-15天
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唯样商城
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STP55NF06L
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ST(意法半导体)
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TO-220
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500+:￥3.29 100+:￥3.59 20+:￥4.08 1+:￥4.97 |
3000 |
21+/22+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |