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STP100N8F6
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STP100N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥1.65 500+:￥1.76 100+:￥1.94 30+:￥2.33 10+:￥2.65 1+:￥3.39 |
2390 |
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立创商城
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STP100N8F6
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ST(意法半导体)
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TO220
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500+:￥2.15 100+:￥2.34 20+:￥3.25 1+:￥4.16 |
3500 |
21+
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在芯间
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STP100N8F6
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意法半导体(ST)
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TO-220
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500+:￥2.3025 100+:￥2.4857 50+:￥2.6165 20+:￥3.6631 10+:￥5.233 1+:￥8.5167 |
50000 |
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油柑网
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STP100N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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30+:￥1.8951 10+:￥1.9272 1+:￥2.0878 |
30 |
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华秋商城
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STMICROELECTRONICS
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TO-220
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50+:￥2.076 1+:￥2.1662 |
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2130
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现货最快4H发
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京北通宇
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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30+:￥2.2135 10+:￥2.5175 1+:￥3.2205 |
78 |
1839
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现货
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硬之城
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STP100N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥1.81 1+:￥1.95 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5955 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 176W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |