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STN4NF20L
ST(意法半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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封装
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价格(含税)
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STN4NF20L
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥0.831 1+:￥0.876 |
7454 |
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圣禾堂
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STN4NF20L
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ST(意法半导体)
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4000+:￥0.86424 1+:￥0.91104 |
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2年内
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硬之城
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STN4NF20L
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意法半导体(ST)
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SOT-223
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40000+:￥0.9141 8000+:￥0.9869 4000+:￥1.0388 1000+:￥1.4543 100+:￥2.0776 20+:￥3.3813 |
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油柑网
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STN4NF20L
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ST(意法半导体)
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SOT-223-4
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4000+:￥0.9141 2000+:￥0.9636 1000+:￥1.0208 100+:￥1.144 40+:￥1.43 |
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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150+:￥1.1765 50+:￥1.3381 5+:￥1.7154 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |