STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223
¥0.84
8,073
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

4000+:¥0.84

1+:¥0.886

1828

24+
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STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

4000+:¥0.8736

1+:¥0.92144

1821

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STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223-4

1000+:¥1.0329

100+:¥1.155

40+:¥1.441

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3天-15天
STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

500+:¥1.3301

150+:¥1.6083

50+:¥1.7832

5+:¥2.1913

2475

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STN4NF03L
STMICROELECTRONICS
SOT-223

1+:¥2.499

115

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STN4NF03L
STMicroelectronics
SOT-223

4000+:¥0.8428

1000+:¥0.9125

500+:¥0.9774

150+:¥1.0664

50+:¥1.2018

10+:¥1.4055

1+:¥1.7314

1902

2502+
1工作日
STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

4000+:¥0.8736

2000+:¥0.92144

1000+:¥0.97656

100+:¥1.092

1+:¥1.3624

3918

--
1-3工作日
STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

52000+:¥0.9097

24000+:¥0.9196

4000+:¥0.924

2000+:¥0.9746

1000+:¥1.0329

100+:¥1.155

1+:¥1.441

6052

24+
2-4工作日
STN4NF03L
STMicroelectronics
SOT-223

32000+:¥1.7328

16000+:¥1.7328

8000+:¥1.7632

4000+:¥1.7936

20000

-
5-7工作日
STN4NF03L
STMicroelectronics
SOT-223

200000+:¥2.1689

100000+:¥2.1878

20000+:¥2.2255

4000+:¥2.3009

12000

-
5-7工作日
STN4NF03L
STMicroelectronics
SOT-223

1+:¥2.9362

2334

-
10-15工作日
STN4NF03L
STMicroelectronics
SOT-223

100+:¥3.312

60+:¥3.3984

20+:¥3.456

2339

-
14-18工作日
STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

100+:¥0.807

30+:¥0.807

10+:¥0.807

1+:¥0.807

0

20+/21+
STN4NF03L
ST(意法半导体)
SOT-223

1000+:¥0.851

500+:¥0.888

100+:¥0.962

30+:¥1.036

1+:¥1.073

3

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STN4NF03L
意法半导体(ST)
SOT-223-3

40000+:¥1.265

8000+:¥1.3656

4000+:¥1.4375

1000+:¥2.0125

100+:¥2.0261

20+:¥2.0814

3

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 330 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA