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STN3P6F6
ST(意法半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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封装
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价格(含税)
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STN3P6F6
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥1.79 1+:￥1.89 |
1975 |
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1000+:￥1.79 500+:￥1.83 100+:￥2.01 30+:￥2.16 10+:￥2.31 1+:￥2.61 |
1319 |
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4000+:￥1.8616 1+:￥1.9656 |
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硬之城
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SOT-223-4
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1000+:￥2.2 100+:￥2.464 20+:￥3.069 |
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100+:￥2.6 30+:￥3.03 10+:￥3.46 1+:￥4.33 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 48 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |