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STN3N40K3
ST(意法半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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STN3N40K3
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥1.03 1+:￥1.09 |
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圣禾堂
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STN3N40K3
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ST(意法半导体)
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SOT-223-3
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4000+:￥1.0712 1+:￥1.1336 |
876 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STN3N40K3
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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1000+:￥1.14 500+:￥1.21 100+:￥1.34 30+:￥1.61 10+:￥1.83 1+:￥2.33 |
1097 |
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立创商城
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STN3N40K3
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ST(意法半导体)
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TO-261-4,TO-261AA
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100+:￥1.419 30+:￥1.782 |
883 |
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3天-15天
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唯样商城
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STN3N40K3
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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100+:￥1.44 30+:￥1.71 10+:￥1.93 1+:￥2.44 |
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20+/21+
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在芯间
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STMICROELECTRONICS
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SOT-223
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1+:￥2.0148 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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STN3N40K3
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意法半导体(ST)
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SOT-223
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1000+:￥4.3867 500+:￥5.0447 100+:￥5.4834 30+:￥6.1414 10+:￥7.4574 1+:￥8.7734 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 欧姆 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 165 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |