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STL9P3LLH6
ST(意法半导体)
8-PowerVDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STL9P3LLH6
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT(3.3x3.3)
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100+:￥4.04 30+:￥4.76 10+:￥5.4 1+:￥6.57 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 24 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2615 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |