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STL220N6F7
ST(意法半导体)
DFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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STL220N6F7
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ST(意法半导体)
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DFN-8(5x6)
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1000+:￥4.3966 500+:￥4.5657 100+:￥4.9217 30+:￥6.45 10+:￥7.27 1+:￥8.75 |
2906 |
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立即发货
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立创商城
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STL220N6F7
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意法半导体(ST)
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DFN-8(5x6)
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1000+:￥13.44 500+:￥15.456 100+:￥16.8 30+:￥18.816 10+:￥22.848 1+:￥26.88 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6600 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），187W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |