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STL110N10F7
ST(意法半导体)
PowerFLAT-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：107A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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ST(意法半导体)
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PowerFlat™（5x6）
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3000+:￥3.16 1+:￥3.29 |
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PowerFLAT-8(5x6)
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1500+:￥3.2571 750+:￥3.4254 100+:￥3.6927 20+:￥4.4253 |
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3000+:￥3.2864 1+:￥3.4216 |
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意法半导体(ST)
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30000+:￥3.6047 6000+:￥3.8915 3000+:￥4.0963 800+:￥5.7348 200+:￥8.1926 10+:￥13.3335 |
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油柑网
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PowerFLAT-8(5x6)
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500+:￥5.23 100+:￥5.65 30+:￥6.59 10+:￥7.42 1+:￥8.93 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 107A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5117 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |