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STGYA75H120DF2
ST(意法半导体)
TO-247
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，75A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STGYA75H120DF2
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ST(意法半导体)
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TO-247
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30+:￥49.88 10+:￥56.61 1+:￥63.93 |
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立即发货
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立创商城
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STGYA75H120DF2
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意法半导体(ST)
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TO-247
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100+:￥123.2133 30+:￥147.856 10+:￥184.82 1+:￥221.7839 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 300 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.6V @ 15V，75A |
| 功率 - 最大值 | 750 W |
| 开关能量 | 4.3mJ（开），3.9mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 313 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 61ns/366ns |
| 测试条件 | 600V，75A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 356 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |