STGP19NC60KD
ST(意法半导体)
TO-220
¥3.848
16,893
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A,功率 - 最大值:125 W
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STGP19NC60KD
ST(意法半导体)
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1000+:¥3.7

1+:¥3.86

358

5年内
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1+:¥4.0144

351

5年内
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TO-220-3

100+:¥4.246

10+:¥5.313

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3天-15天
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1000+:¥4.36

500+:¥4.51

100+:¥4.84

30+:¥5.8

10+:¥6.45

1+:¥7.63

5377

-
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ST(意法半导体)
TO-220(TO-220-3)

100+:¥4.96

30+:¥5.71

10+:¥6.38

1+:¥7.6

6064

20+/21+
STGP19NC60KD
意法半导体(ST)
TO-220

100+:¥5.7086

50+:¥6.8503

10+:¥7.992

1+:¥10.4896

4685

-
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30+:¥8.0832

10+:¥8.2202

1+:¥8.9053

56

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1000+:¥3.848

100+:¥4.0144

1+:¥5.0232

518

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1-3工作日
STGP19NC60KD
STMICROELECTRONICS
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1000+:¥4.1433

300+:¥4.2676

100+:¥4.4375

30+:¥4.9306

10+:¥5.925

1+:¥6.6293

515

22+
1工作日
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STMicroelectronics
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8000+:¥4.218

4000+:¥4.292

2000+:¥4.366

1000+:¥4.625

20000

22+
3-6工作日
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50000+:¥4.9036

25000+:¥4.9462

5000+:¥5.0315

1000+:¥5.2021

3000

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5-7工作日
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STMicroelectronics
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10000+:¥5.076

5000+:¥5.217

3000+:¥5.311

1000+:¥5.405

6000

-
7-10工作日
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STMICROELECTRONICS
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1+:¥5.9976

2

2117
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 75 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.75V @ 15V,12A
功率 - 最大值 125 W
开关能量 165µJ(开),255µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 55 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/105ns
测试条件 480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 31 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3