STGD6NC60HDT4
ST(意法半导体)
DPAK
¥4.1229
10,496
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A,功率 - 最大值:56 W
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STGD6NC60HDT4
意法半导体(ST)
TO-252-2(DPAK)

1000+:¥4.1229

100+:¥4.9475

10+:¥5.7721

1+:¥7.5758

10380

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STGD6NC60HDT4
STMICROELECTRONICS
DPAK

50+:¥6.8315

1+:¥7.1285

50

2202
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STGD6NC60HDT4
ST(意法半导体)
DPAK

30+:¥7.32

10+:¥8.21

1+:¥9.84

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ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)

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20+/21+
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ST(意法半导体)
DPAK

2500+:¥2.49

1+:¥2.6

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18+
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STGD6NC60HDT4
ST(意法半导体)
DPAK-3

2500+:¥2.5896

1250+:¥2.704

100+:¥2.9744

1+:¥3.5568

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 15 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 21 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,3A
功率 - 最大值 56 W
开关能量 20µJ(开),68µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 13.6 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/76ns
测试条件 390V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 21 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63