STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK
¥3.58
1,255
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A,功率 - 最大值:125 W
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STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK

500+:¥3.58

100+:¥3.9

30+:¥4.62

10+:¥5.26

1+:¥6.43

764

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STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥4.5

1+:¥4.69

124

22+
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STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK-3

1000+:¥4.68

1+:¥4.8776

119

22+
1-2工作日发货
STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
TO-263-3

100+:¥5.159

8+:¥6.446

124

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3天-15天
STGB19NC60KDT4
意法半导体(ST)
D2PAK

1000+:¥5.2941

100+:¥6.3529

10+:¥7.4117

1+:¥9.7279

124

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STGB19NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK-3

1000+:¥10.5768

100+:¥10.868

1+:¥12.1784

124

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 75 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.75V @ 15V,12A
功率 - 最大值 125 W
开关能量 165µJ(开),255µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 55 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/105ns
测试条件 480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 31 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB