STGB18N40LZT4
ST(意法半导体)
TO-263AB
¥2.99
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IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):420 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A,功率 - 最大值:150 W
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 420 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 40 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 1.7V @ 4.5V,10A
功率 - 最大值 150 W
输入类型 逻辑
栅极电荷 29 nC
25°C 时 Td(开/关)值 650ns/13.5µs
测试条件 300V,10A,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB