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STF6N95K5
ST(意法半导体)
TO-220FPAB-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：950 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STF6N95K5
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ST(意法半导体)
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TO-220FPAB-3
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1000+:￥3.27 500+:￥3.44 100+:￥3.76 50+:￥4.29 10+:￥5.21 1+:￥6.29 |
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立创商城
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STF6N95K5
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ST(意法半导体)
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TO-220F
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500+:￥3.45 100+:￥3.76 20+:￥4.25 1+:￥5.75 |
1000 |
22+
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在芯间
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STF6N95K5
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意法半导体(ST)
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TO-220FPAB-3
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500+:￥4.9796 100+:￥5.3757 50+:￥5.6586 20+:￥7.922 10+:￥11.3172 1+:￥18.4187 |
20962 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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TO-220-3 整包
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1000+:￥2.4 1+:￥2.52 |
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圣禾堂
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STF6N95K5
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥2.496 1+:￥2.6208 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |