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STD2NK90ZT4
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STD2NK90ZT4
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥1.6 1+:￥1.67 |
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圣禾堂
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STD2NK90ZT4
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ST(意法半导体)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥1.63 500+:￥1.74 100+:￥2.17 30+:￥2.57 10+:￥2.89 1+:￥3.64 |
1095 |
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立即发货
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立创商城
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STD2NK90ZT4
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ST(意法半导体)
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TO-252
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2500+:￥1.664 1+:￥1.7368 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STD2NK90ZT4
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ST(意法半导体)
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TO-252-3
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100+:￥2.123 20+:￥2.761 |
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3天-15天
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唯样商城
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意法半导体(ST)
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TO-252-3(DPAK)
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25000+:￥5.5935 5000+:￥6.0385 2500+:￥6.3563 800+:￥8.8988 200+:￥12.7126 10+:￥19.7045 |
10000 |
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油柑网
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STD2NK90ZT4
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ST(意法半导体)
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TO-252
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2500+:￥1.664 1250+:￥1.7368 100+:￥2.0072 1+:￥2.6104 |
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1-3工作日
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硬之城
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STMICROELECTRONICS
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DPAK
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1+:￥3.9886 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |